1.二季度GaN专利活动升温，中国主导创新热潮；

2.机构：中国半导体技术多维超越韩国，全球排名第二；

3.华星光电“显示面板和显示装置”专利公布

1.二季度GaN专利活动升温，中国主导创新热潮

研究机构KnowMade最新数据显示，2025年第二季度GaN IP领域活跃度显著提升，新增645个专利家族。英飞凌和BOE加速专利申请，BOE在GaN电子专利领域的活动尤为突出。西安电子科技大学在专利活动中保持领先，其发明披露量较2025年第一季度几乎翻倍。ST和英诺赛科持续稳定的专利申请，位列前七大申请人。

本季度超过320个新专利家族获得授权，凸显英诺赛科在功率GaN领域的IP地位增强。该公司凭借持续创新，特别是在中国专利和美国集成电路及先进HEMT器件专利方面取得突破。中国台湾晶圆代工厂联电也因多项新授权发明获得认可。然而，超过220项专利在本季度过期或被放弃，对Wolfspeed和英飞凌等公司影响显著。

专利转移和合作方面，本季度记录超过90起转移，重塑RF GaN格局。Wolfspeed继续将RF GaN IP资产转移给Macom，SpaceX则收购了Akoustis Technologies的全部IP资产。Axiro Semiconductor通过从Renesas收购资产，提升其市场地位。

合作IP活动同样显著，约20项重要合作被记录，包括康奈尔大学与IHPP PAS的联合申请，以及美国海军与国内大学的合作。这些合作奠定了GaN电子技术未来发展的坚实基础。

展望未来，KnowMade预测，随着GaN技术在功率电子和射频领域的应用不断拓展，相关专利活动将持续活跃。预计2025年下半年，GaN专利申请量将进一步增长，市场前景乐观。

2.机构：中国半导体技术多维超越韩国，全球排名第二

韩国科学技术评估与规划研究院（KISTEP）最新报告显示，中国在半导体领域的主导地位已延伸至存储芯片领域，超越韩国。基于2024年对39位韩国半导体专家的调查，结果显示中国在存储芯片技术方面已超过韩国，但韩国三星和SK海力士仍占据领先地位。目前，中国在全球半导体领域排名第二，仅次于美国。

具体调研数据显示，中国在高密度电阻式存储器技术得分达94.1%，超过韩国的90.9%；在高性能低功耗人工智能半导体技术方面，中国得分88.3%，超过韩国的84.1%；在功率半导体方面，中国得分79.8%，大幅超过韩国的67.5%；在下一代高性能传感技术方面，中国得分83.9%，而韩国为81.3%。两国仅在先进封装技术领域实力相当，基础能力得分均为74.2%。

根据当前市场现状显示，尽管美国实施出口限制，中国半导体公司市场份额仍在增加，技术差距逐渐缩小。中国存储器制造商在DDR5内存生产方面虽仍落后于三星、SK海力士和美光科技，但进步显著。

KISTEP报告预测，地缘政治紧张局势可能影响韩国半导体产业，包括出口下降或被迫退出中国市场的风险，同时面临核心人才流失、人工智能半导体技术竞争加剧以及供应链的快速转变等挑战。为了保持领先地位，韩国必须解决其基础能力和设计技术的缺陷。

此前KISTEP在2022年的调查结果显示，韩国在存储器和先进封装技术领域仅次于美国，位居第二，而中国分别位居第三和第四。但此次报告显示中国已显著提升其半导体技术能力，目前在全球半导体领域排名第二，仅次于美国。

综合来看，尽管面临国际限制，中国半导体产业仍快速发展，尤其是在存储器技术领域的突破，这证明了其专注于实现技术自给自足的国家战略的有效性，以及在基础能力领域逐渐占据主导地位。随着全球半导体格局经历重大调整，中国正朝着技术自给自足的目标不断迈进。

3.华星光电“显示面板和显示装置”专利公布

天眼查显示，深圳市华星光电半导体显示技术有限公司“显示面板和显示装置”专利公布，申请公布日为2025年3月18日，申请公布号为CN119654023A。

本申请提供一种显示面板和显示装置，显示面板包括显示基板以及设置于显示基板的出光侧的第一反射层，显示面板包括多个间隔设置的显示像素，相邻显示像素的间隔区设置有图案化的第一反射层，第一反射层包括对应间隔区设置的至少两种颜色不同的色阻块，多个色阻块构成位于显示面板上的纹理图案，通过在间隔区设置颜色不同的色阻块形成纹理图案，颜色不同的色阻块能够反射环境光形成不同颜色的反射光，并通过空间混色形成特定颜色的纹理图案，而且还可减小纹理图案对显示像素出光的影响，进而减小对显示面板透过率的影响，改善了现有纹理显示方案影响透过率的技术问题。