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三星电子与辉达（NVIDIA）关于HBM4内存的价格协商目前已进入收尾阶段。据悉，三星内部设定了「与SK海力士同价」作为谈判目标，旨在改善其HBM产品的整体平均售价。
近期业界消息显示，SK海力士与辉达的HBM4合约报价大约在500美元中段，较HBM3E 12层（约300美元中段）高出逾50%。相比之下，三星目前的HBM3E售价较海力士低约30%，主要原因是此前大量备货等待辉达认证，但流程延宕，迫使三星以低价清库存，平均售价仅为200美元中段。然而，随着HBM4需求迅速增长，市场普遍预期两家韩厂在下一代产品的价格差距将大幅缩小。
目前，三星与辉达2026年度HBM4供应谈判已进入最终阶段。辉达在完成与海力士的合约后不久便与三星展开谈判。业界指出，三星内部认为自家HBM4在速度等核心规格上具备竞争力，因此不再沿用HBM3E的低价策略，而是力求以「比照海力士」的价格签约。
为提升获利，三星今年将逐步扩大1c DRAM产能，采取稳健扩产策略。目前，三星1c DRAM产能约为月2万片，计划新增月8万片的全新产能，再加上将成熟制程转换为1c的既有产线，总产能预计在2026年底前达到月15万片，并正式用于HBM4量产。
市场同时关注三星能否于今年底通过辉达认证。若审核顺利，三星最快有望在2026年第二季进入供应链，改变原先预期海力士独供上半年、三星自下半年接棒的格局。然而，目前三星1c DRAM在HBM4的良率仅约50%，量产良率是否能在上半年改善，仍是影响其实际出货节奏的最大变数。
此外，据业界分析，三星在HBM4市场的积极布局，不仅有助于提升其在高端内存市场的竞争力，也将对整个内存市场格局产生深远影响。随着人工智能、高性能计算等领域的快速发展，HBM4需求持续攀升，三星的产能扩张和良率提升将成为其抢占市场份额的关键因素。
