1、集结！中国半导体领军者方阵——“年度上市公司领航奖”即将荣耀加冕

2、公开课87期笔记 | 华羿微电解构‌PQFN封装技术与功率器件创新路径

3、思波微新工厂落地武汉光谷，达产后预计年产能100台

4、52亿元！立琻半导体项目签约落户重庆

1、集结！中国半导体领军者方阵——“年度上市公司领航奖”即将荣耀加冕

2025年，在全球人工智能与大模型技术席卷千行百业、驱动智能变革的宏大背景下，半导体产业作为数字经济的基石，正经历着从设计、制造到封装测试全链条的深度聚合与生态重塑。与此同时，伴随着A股半导体上市企业生力军日渐壮大，他们已在国产化突破与国际化布局的双线征程中，构筑起坚实的产业壁垒——概念股矩阵成型，细分龙头纷纷崛起，一股澎湃的“中国力量”正逐步改写全球半导体产业格局。

在这一关键历史节点，由中国半导体投资联盟主办、爱集微承办的“2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼”将于2025年12月20日在上海前滩华尔道夫酒店隆重举行。年会以“AI赋能・共筑未来——技术创新与产业融合之路”为主题，旨在汇聚产业智慧，共探发展前沿。作为本届年会备受瞩目的核心环节之一，为了覆盖半导体行业内更全面、更专业的优质企业及机构，2026年IC风云榜在延续过往专业评选维度的基础上，进一步扩容升级，设立三大类，73项重磅大奖，覆盖投资、上市公司、市场、AI、具身智能、职场、知识产权、汽车、海外市场九大核心领域，全方位挖掘半导体产业各赛道的标杆力量。

奖项申报入口

特别的是，首个“年度半导体上市公司领航奖”的评选正式拉开帷幕。该奖项的设立，正是基于一个清晰而振奋人心的行业共识：中国半导体概念股已然成型，各细分领域的龙头军团已经集结完毕，正成为驱动中国乃至全球半导体创新与增长的中流砥柱。

集微咨询数据显示，截止今年11月，A股半导体上市公司数量达到228家。2024年TOP100“芯片概念股”企业营业收入总计达8499.79亿元，营业收入超过100亿元的企业来到15家，与上一年度相比，营业收入增长率超过100%的有4家企业，13家公司涨幅超过50%；TOP100企业净利润总计为632.42亿元，平均净利润为6.32亿元，净利润增长率超过100%的有13家企业，4家公司涨幅超过200%。TOP100的公司总市值均过百亿，有51家公司总市值较去年同比增长。其中，总市值过千亿元的有6家；500亿元到1000亿元之间的有14家；200亿元到500亿元的有42家；100亿元到200亿元的有38家。

预计2025年A股半导体上市公司总营业收入将达到9175亿元，同比增长9%，近五年总增长100%；净利润将达到513亿元，同比增长9%，近五年总增长45%。前三季度，A股228家半导体上市公司合计研发投入达680.22亿元，整体研发费用率为10.45%。

上述数据表明，在复杂国际环境下，国内半导体企业正持续加大研发投入，头部公司引领作用显著，展现出产业链自主可控的坚定决心。中国“芯片概念股”企业不仅是资本市场的“压舱石”，更是技术突破与产业创新的“引擎”和中流砥柱，已有一批龙头企业用技术突破书写传奇：封测领域稳居全球前十榜单，刻蚀设备领域的领军者打入国际顶尖供应链，清洗设备企业以自主创新技术跻身行业盈利前列，CIS传感器企业实现高端市场突破……这些企业的成长，正是中国半导体产业韧性的最佳证明。它们在资本浪潮中稳健前行，在技术攻坚中砥砺奋进，构成了中国半导体产业自立自强、参与全球竞争的核心力量。首届以“全产业链覆盖、全领域聚焦”为特色，覆盖了从核心装备、关键材料，到基础芯片、高端器件的31大关键赛道，包括：

核心制造与设备： 晶圆代工、封装测试、光刻机、涂胶显影设备、刻蚀机、清洗设备、离子注入机、沉积设备、抛光设备、电镀设备、度量设备、封装设备、检测测试设备。

上游材料与部件： 硅片、电子化学品、电子特气。

关键芯片与器件： 高端通用计算芯片、MCU、信号链芯片、存储芯片、存储模组、电源管理芯片、无线通信芯片、端侧AI芯片、显示驱动芯片、射频前端类芯片、EDA/IP、被动元器件、LED芯片、CIS传感器、功率半导体。

年度半导体上市公司领航奖全景式的领域覆盖，确保了评选的广度与深度，旨在全方位挖掘并表彰那些在各自领域驱动技术创新、引领市场增长、塑造产业未来的标杆企业。该奖项不仅是对过去一年企业卓越表现与突出贡献的肯定，更是向全球市场集中展示中国半导体产业的整体实力、创新活力与发展韧性。相信在从概念蓬勃兴起走向产业深度落地，从算法率先突破迈向硬件全面赋能的AI新时代，中国半导体上市公司军团已经整装待发，有能力、也有决心在全球竞争中扮演更重要的角色，共同构建一个高韧性、高效率、高创新的半导体产业新生态。

自奖项申报通道开启以来，已吸引了半导体产业链上众多知名上市公司的广泛关注与踊跃报名，一场代表中国半导体顶尖力量的“华山论剑”即将上演。让我们共同期待，在12月的上海，见证这些引领中国半导体产业破浪前行的领航者们荣耀加冕！

2、公开课87期笔记 | 华羿微电解构‌PQFN封装技术与功率器件创新路径

直播回放

随着技术迭代加速、能源革命升级，功率器件作为电子装置中电能转换与电路控制的核心元器件展现出了强劲的增长前景。在功率器件的升级过程中，封装技术扮演了不可或缺的角色，但传统封装技术已无法满足新一代功率器件的高密度集成需求，以PQFN为代表的先进封装技术成为释放功率器件性能潜力的关键，直接决定了产品的功率密度、可靠性和成本。

华天科技旗下的华羿微电作为国内少数集功率器件研发设计与封装测试于一体的高新技术企业，已通过多年技术积累和创新布局，量产了800余种中低压功率MOSFET、超结MOSFET、系统级功率模块等功率器件产品，同时具备先进齐全的功率器件封测工艺平台和规模化封测生产线，已成为国内多家功率器件上市公司的主要封测基地。

11月28日，集微网举办第87期“集微公开课”活动，特邀请华羿微电高级封装技术专家张涛，带来“封装驱动功率升级：从Efuse看PQFN封装技术及功率器件创新方向”的主题分享。课程深入剖析了PQFN封装的技术细节、工艺流程及产品应用，并前瞻性地探讨了半导体功率器件的未来发展趋势。

深度解析：‌PQFN封装技术、流程及产品应用

eFuse（电子保险丝）是一种基于半导体技术的电路保护器件，通过集成MOSFET和智能控制逻辑实现快速、精准的电路保护‌。其核心特点为一次性可编程（OTP）特性，每个存储位仅能由0改为1（或相反），且无法恢复，适用于安全启动等场景‌。据张涛介绍，“eFuse有着快速响应与高精度保护、可重复使用与智能维护、高集成与空间优化等优势，市场前景广阔。”

从eFuse器件的封装形式来看，eFuse常采用小型化封装以适配高集成度场景，典型封装形式PQFN 、PDFN，采用锡膏或者烧结银粘接工艺，通过Cu-Clip将芯片电极与管脚直连工艺提升散热效率，实现了高效散热与快速保护，广泛应用于汽车电子、数据中心等高可靠性场景。

接下来，张涛阐述了‌PQFN封装技术的关键设计，包括框架设计、Clip设计、Clip焊接、堆叠芯片等。其中，PQFN框架通常采用高导热金属（如铜合金）或陶瓷材料，通过蚀刻工艺形成精密引线结构，同时框架需要低热阻和高机械强度，以支撑eFuse芯片的功率耗散需求。Clip设计则对形态、电气性能、稳定性和热及应力管理提出了较高要求。Clip焊接能够替代传统引线键合，提升散热、载流能力。另外，堆叠芯片能够提升集成密度、缩短信号传输路径，并缩小体积。

‌PQFN封装技术目前仍面临着克服散热与电性能平衡、材料与工艺适配性、成本、市场应用等挑战。张涛进一步指出，eFuse需通过可恢复性（如自动重试模式）和智能诊断（如故障报告）凸显差异化价值‌，但市场对eFuse产品的认可和接受需要长期推广，以让‌PQFN封装技术有更大的用武之地。

展望未来，张涛认为‌PQFN封装技术将朝着更高性能、更精工艺、更宽场景和更广阔市场前景的方向发展，‌PQFN封装技术未来将突破性能天花板、攻克高功率与高密度瓶颈、并从单一器件到解决方案，市场应用场景广阔。

前沿探索：半导体功率器件创新发展方向

作为本次公开课的亮点之一，张涛系统介绍了半导体功率器件发展方向，包括顶部散热结构、双面散热结构、扩散焊工艺、烧结银工艺。

具体来看，在传统单面散热方案中，功率芯片损耗产生的热量仅通过绝缘基板和底板单向传导至散热器难以满足大热量散热需求。传热通道有限、热阻较大，导致芯片与散热面温差大，长期使用可能导致芯片因高温而烧毁。而采用顶部散热设计，热量从器件顶部高效传递至散热器，通过大面积金属结构吸收热量并传递至外部环境，可使系统热阻降低约50%。双面散热结构有着更高效的热流路径、大幅降低热阻，比传统封装结构散热能力提高约2~5倍。

Au-Sn/Cu-Sn扩散焊工艺是基于共晶合金的特性原理实现焊接，在相对较低的温度下，此温度低于Au(Cu)-Sn合金中任一组分单质熔点，在此温度下共晶焊料发生共晶物熔合，直接从固态转化为液态，不经过塑性变形阶段。该工艺具有良好的导热性和导电性，热传导系数可达57 W/m·K，适用于对散热要求非常高的功率器件；该工艺电阻小、可靠性强，适用于高频、大功率器件中芯片与基板的焊接；此外扩散焊工艺具有很强的抗腐蚀性、高抗疲劳性，也不需要额外焊接材料，能够大幅提高生产效率。

烧结银工艺是银粉相互烧结，并与界面也进行烧结，形成金属结构，提供高粘接力和导电性。具备高温下更稳定、熔点与可靠性更高、热阻与性能提升以及环保性等优势。

张涛接下来分享了Cu-Sn扩散焊、Au-Sn扩散焊、软焊料、烧结银工艺的热阻数据，结果显示，在相同条件下，Cu-Sn扩散焊工艺的热特性最优。

张涛表示，“华羿微电专注于功率器件的研发与制造，当前功率器件正在向更低热阻、更小功耗的方向发展，这就要求晶圆厚度持续减小。当晶圆厚度降至60~80微米范围时，传统的减薄工艺已难以满足制造要求，此时需要借助先进技术来实现此类超薄晶圆的加工。然而，行业对60~80微米厚度晶圆的性能仍不满足，要求进一步提升。因此，晶圆厚度需继续降低至30~50微米，我们正在探索引入其他减薄方式以实现30~50微米厚度的晶圆制造，这也是我们工艺研发的重要方向之一。”

结语：

本次集微公开课不仅系统展示了华羿微电在功率器件、先进封装工艺上的技术积累，更呈现了其在半导体功率器件的前瞻性布局。未来随着功率半导体在新能源车、光伏储能等领域的爆发式增长，华羿微电将凭借扎实的技术积累和创新布局再进一步。

3、思波微新工厂落地武汉光谷，达产后预计年产能100台

11月21日，武汉思波微智能科技有限公司（以下简称“思波微”）新工厂开工装修仪式圆满举行。

光谷科学岛消息显示，这标志着武汉芯光产业园首批半导体设备研发制造工厂正式入驻。思波微入驻将进一步丰富存储器创新街区产业生态，助力光谷加速打造“世界存储之都”。此次思波微入驻的新工厂面积约3000平方米，将用于研发生产半导体高端超声检测系统设备，达产后预计年产能100台、年营收3亿元。

思波微是由“长江学者”领衔、依托华中科技大学科研资源孵化的新锐企业，自2023年11月成立以来，专注于自主研发的“芯片B超”高频超声检测设备技术。其核心团队成功研发的“芯片B超”高频超声检测设备，为晶圆堆叠、先进封装等关键工艺提供高精度缺陷检测解决方案，助力提升国产半导体设备的自主创新与产业化水平。

作为湖北科投培育硬核科技企业的标杆案例之一，思波微在产业化起步的关键节点获得了湖北科投的天使轮领投，后续更获得市场头部投资机构的广泛认可与跟进投资。如今，思波微正式落地光谷科学岛芯光产业园，体现了湖北科投“科创基础设施 + 孵化培育 + 股权投资 + 载体运营”全生命周期综合性科创服务体系的实践成果。

4、52亿元！立琻半导体项目签约落户重庆

据九龙坡发布消息，11月25日，由工业和信息化部、重庆市人民政府共同主办的“2025中国产业转移发展对接活动（重庆）”举行。本次活动总签约项目159个，合同金额达1178亿元，现场签约项目62个，投资金额637亿元。其中，九龙坡区与立琻半导体进行签约，计划投资52亿元，在重庆枢纽港产业园九龙新城布局“车规光电模组及新型显示器件制造项目”，该项目的签约将精准补位新型显示产业短板，布局九龙坡区首个新型显示器件生产基地。

“车规光电模组及新型显示器件制造项目”将分两期建设，总占地面积约100亩，总建筑面积约8万平方米，建设年产156万套车窗透明屏、空调光触媒净味消杀、座舱光照消杀模组产能和120万套新型显示器件。

据介绍，九龙坡区将全力为该项目提供半导体材料配套、智能网联产业链场景支持。项目落地后，还将积极争取座舱设计、零部件等汽车产业链项目，以及量子点、半导体装备、面板厂、整机厂等新型显示产业链项目，形成汽车零部件产业、新型显示产业双聚集双驱动。

近年来，九龙坡区以“248X”现代制造业集群体系为核心，构建起“主导产业引领、优势产业支撑、特色产业补位、未来产业布局”的科学承接格局，力求让转移项目都能找到适配的生态，真正实现价值的跃升。

“248X”现代制造业集群体系的核心在于“精准”与“协同”：2个主导产业集群锚定未来竞争制高点，4个优势产业集群夯实产业根基，8个特色产业集群填补细分领域空白，“X”个未来产业集群布局前沿赛道。