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三星电子新设立存储器半导体开发事业部，并整合HBM开发团队
11 小时前
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来源：集微网
三星电子在DS部门内成立存储器半导体开发事业部，整合DRAM和NAND闪存开发，提升存储半导体解决方案能力。HBM开发团队并入DRAM设计团队，同时成立数字孪生中心，为建立半导体AI工厂做准备。
三星电子在其设备解决方案（DS）部门内新成立了一个组织，负责监督包括DRAM和NAND闪存在内的存储半导体的整体开发。
据报道，三星电子近日举行了一次高管简报会，宣布进行组织结构调整，在DS事业部的存储器业务部门内设立“存储器半导体开发事业部”，负责存储器半导体的开发。
此前，存储器业务部门下属的各个团队负责开展相关业务，设有独立的DRAM开发团队和闪存开发团队，但该公司已决定成立一个专门负责所有存储器半导体开发的组织。
DRAM开发团队负责人（执行副总裁）Hwang Sang-jun将领导该组织。此举旨在通过整合组织运营，提升HBM、DRAM和NAND闪存的存储半导体解决方案和封装能力。
此外，HBM开发团队将并入DRAM开发团队下属的设计团队。三星电子此前于2024年7月通过组织架构调整成立了新的HBM开发团队。当时，在HBM市场被SK海力士超越后，三星电子此举旨在创建一个专门的组织，集中相关人员，以提升其技术竞争力。
然而，经过此次组织架构调整，HBM相关人员在大约一年后被重新调至存储器开发部门。分析表明，这反映出公司对自身在HBM4（第六代）等下一代产品方面拥有强大的技术实力充满信心。据报道，此前领导HBM开发团队的执行副总裁Son Young-soo已被任命为设计团队负责人。
同时，三星电子全球制造基础设施事业部下新成立了数字孪生中心。数字孪生技术可以将现实世界的物体、系统和流程映射到虚拟空间。此举被解读为为建立半导体“人工智能工厂”做准备。三星电子此前曾宣布计划建设一座人工智能工厂，将人工智能应用于半导体设计和所有流程，并引进英伟达提供的5万个GPU。
