近日，碳化硅（SiC）供应链正步入一个分化的市场阶段。一方面，SiC原材料价格持续上涨；另一方面，6英寸器件衬底面临巨大的价格压力。对于电力和汽车设计人员而言，这种分化趋势可能会重塑器件成本结构，尤其是在SiC被引入AI加速器和高性能计算平台的当下。

据市场研究机构TrendForce的数据显示，包括黑色和绿色等级在内的块状SiC粉末和颗粒价格逐步攀升。近期交易价格约为每吨6271元人民币，较上周上涨约0.21%。这一价格变动主要归因于原材料成本的坚挺、下游需求的扩大，以及与环境检查和产能限制相关的供应调整，这些因素共同推高了分销链的成本。

然而，与原材料价格上涨形成鲜明对比的是，6英寸SiC晶圆衬底市场已陷入价格战。全球主要供应商的快速扩产导致供过于求，价格从2024年年中至第四季度已跌破每片500美元，跌幅超过20%。预计到2025年，主流报价将维持在400美元或更低水平，部分供应商甚至以接近成本的价格出售，这可能会加速衬底生产商之间的整合。

除了在电力电子领域的应用，SiC正越来越多地被定位为AI和高性能计算（HPC）平台的热管理材料。随着GPU功率密度的提升，传统热解决方案难以满足需求，而热导率高达约500 W/m·K的SiC正成为热扩散和载流结构的候选材料。

TrendForce报告指出，预计NVIDIA将在2025年左右将其 Rubin AI平台引入SiC，利用台积电的CoWoS先进封装技术，用SiC取代传统的硅中介层，以更好地应对高热负荷。与此同时，台积电正与供应商合作开发12英寸单晶SiC载板，以取代HPC系统中的传统陶瓷材料。中国供应商SICC已开始提供完整的12英寸SiC衬底样品，以满足这一需求。

随着大型数据中心向800 V高压直流架构转型，SiC功率器件有望在系统层面实现更高的效率和更低的损耗。同时，SiC的高折射率（约2.6至2.7）正在被评估用于AR、MR和VR光学领域，有望实现比传统玻璃更薄的光学器件和更广的视场。

对于欧洲功率器件制造商而言，如果SiC原材料价格继续上涨，而6英寸衬底价格持续承压，欧洲IDM和模块制造商可能会迎来锁定更具竞争力晶圆合同的窗口期，尤其是在汽车级产品线方面。同时，任何向12英寸SiC载板和AI加速器先进封装的结构性转变，都可能将工艺知识和投资进一步推向价值链上游，从而为欧洲封装和材料专家带来潜在溢出效应。

短期内，工程师和采购团队需要认识到，SiC不再仅仅是高压功率器件的宽禁带选项，它正越来越多地被定位为AI热管理和先进光学的战略材料，而其自身的成本基础也正在受到SiC原材料价格和衬底价格竞争的双重影响。