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三星电子反超美光 重返HBM市场第二
10 小时前
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来源：集微网
三星电子第三季度超越美光科技，重夺HBM市场第二，市场份额达22%。SK海力士保持第一，但主导地位减弱。三星扩大HBM3E供应，为反弹奠定基础，预计明年HBM4市场竞争加剧。
三星电子在今年第三季度成功超越美光科技（Micron Technology），重新夺回高带宽内存（HBM）市场的第二位置。在第一、第二季度落后于美光排名第三后，随着其扩大第五代高带宽内存（HBM3E）产品供应，三星展现出明显的复苏态势。在DRAM市场，三星也紧追领先者SK海力士的步伐。
据市场研究机构Counterpoint Research于12月19日发布的数据显示，三星电子在第三季度全球HBM市场份额（按营收计算）达到22%，较上一季度的15%大幅增长7个百分点。同期，美光的市场份额为21%，让出第二位置给三星电子。
SK海力士以57%的市场份额保持第一的位置。虽然它仍控制着超过半数的市场，但其主导地位较上一季度的64%有所减弱。分析认为，三星电子通过克服对中国出口减少的不利因素，并从第三季度开始全面供应HBM3E产品，为反弹奠定了基础。
行业分析师预计，明年抢占HBM4市场的竞争将进一步加剧。三星电子正在扩大下半年HBM3E的产能，并加速开发下一代产品。SK海力士预计将全力以赴维持其在HBM领域的领导地位。
