1、宝能董事长姚振华实名举报：观致汽车80亿元资产遭侵吞

2、天赐材料维权胜诉，浙江研一公司等侵犯商业秘密获刑并赔偿

3、2025年“CCF最高科学技术奖”评选结果公告

4、打破20年技术僵局！西电团队攻克芯片散热世界难题

5、中国科大光电子及功率电子器件四项进展入选IEDM 2025

1、宝能董事长姚振华实名举报：观致汽车80亿元资产遭侵吞

1月14日中午，中国宝能披露，宝能集团董事长、观致汽车实控人姚振华于1月13日向最高人民法院、江苏省高级人民法院实名举报：常熟市委常委陈国栋、常熟经开区管委会和常熟市人民法院串通一气、联手操纵侵吞观致汽车80亿元资产。

以下为姚振华举报全文（音频整理）：

本人姚振华，现任宝能集团董事长，也是观致汽车实控人，观致汽车注册资本169亿元，宝能集团持股63%，本人现郑重向最高人民法院、江苏省高级人民法院实名举报，常熟市委常委陈国栋、常熟经开区管委会和常熟市人民法院串通一气、联手操纵。

在观致汽车2.7亿元执行案件中，违法成立清算工作组，强制封控观致汽车工厂、设备，严重超额查封执行，强制拍卖观致汽车土地、厂房及常规机器设备、专用车型设备等核心资产。

经第三方机构评估，该资产价值80亿元，而常熟法院仅低评为15亿元，并在苏州中院2025年12月22日立案受理观致汽车破产重整后，公然违反《企业破产法》规定，违法快速推进，一拍、二拍，二拍起拍价8.6亿元。

2026年1月15日10点开拍，常熟经开区管委会早已策划好将观致汽车工厂的土地、厂房、通用设备及专用设备等核心优质资产先进行低价拍卖侵吞，剩个空壳再进行破产清算，这是典型的吃死人不吐骨头。

宝能集团作为股东，自2018年到2025年底，对观致累计投资约260亿元，其中包括股权收购款约80亿元，股权收购利息支出约27亿元，研发投入约81亿元，资产及设备投入18亿元，运营投入约27亿元。即使在2021年下半年出现流动性困难以来，仍持续为观致维持运营研发及复工复产，净投入25亿元。此外，宝能为观致清偿金融债务约26亿元。

常熟市委常委陈国栋，常熟经开区管委会和常熟法院的违法违规行为，将造成观致股东宝能集团260亿元的巨额投资血本无归，严重损害股东合法权益，严重损害1500家供应商及几十家机构债权人合计139亿元债权的合法权益，严重破坏常熟的法制环境、营商环境。

2026年1月12日已有33家观致债权人，共持有债权80亿元，占比超60%，向苏州中院申请尽快做出破产重整裁决。同日向常州法院提交了执行异议申请，要求立即依法撤销二拍，依法保护全体债权人权益。

观致常熟工厂年产能15万辆，观致拥有多年积淀的技术研发体系、产品体系，欧洲5星标准安全评级，拥有观致5、观致7多款成熟产品及多款新能源储备产品。

观致7在国际市场，特别是中亚、中东、东南亚、南亚、南美市场具有较强竞争力，每台出口能创造2~3万元的可观收益，仅需投入约20亿元，10个月左右时间可复产观致7，每年可创造200多亿的营收，20亿以上的税收，30~40亿元的利润，观致汽车具备极大的重整价值。破产重整符合破产法保护珍贵生产力的原则。

今天的公开情况，出于万般的无奈，2025年以来，我本人亲自带着团队多次奔波于常熟苏州，寻求相关问题能公正、公平解决，却毫无进展，直至发展到今时今日，观致汽车即将被低价侵吞，260亿投资即将血本无归，139亿相关债权也将被置之不理，灰飞烟灭。在此，恳请最高人民法院、江苏省高级法院主持公道，匡扶正义，立即制止常熟经开区违规干预司法，制止常熟法院违法违规拍卖行为，督促苏州中院依法尽快裁决观致汽车破产重整，维护全体债权人和股东的合法权益，维护公平公正的法治环境和营商环境，贯彻落实中央保护民营经济的精神。

举报人：姚振华，2026年元月13日。

2、天赐材料维权胜诉，浙江研一公司等侵犯商业秘密获刑并赔偿

1月14日，天赐材料发布公告，披露其子公司九江天赐高新材料有限公司（以下简称“九江天赐”）诉浙江研一新能源科技有限公司（以下简称“浙江研一公司”）及被告人岳敏、张春晖侵犯商业秘密一案一审审结，九江天赐胜诉。

据悉，该案公诉机关为湖口县人民检察院，案件于2024年9月6日由湖口县人民检察院向江西省九江市濂溪区人民法院提起公诉。江西省九江市濂溪区人民法院依法组成合议庭，适用普通程序审理。因案件涉及商业秘密，法院于2024年12月26日、12月27日及2025年1月13日进行了不公开开庭审理。审理期间，经九江市中级人民法院批准延长审理期限一次，后经最高人民法院批准延长审理期限四次，最终于近期审理终结。九江天赐于2026年1月12日收到了江西省九江市濂溪区人民法院出具的《刑事判决书》。

案件核心事实显示，李胜曾任职于九江天赐，期间签订了《劳动合同》《商业保密、竞业限制协议》等文件，离职前担任过电池生产部工艺技术总监、生产运营总监、制造部总监、工厂厂长、电解质工厂总监、总工程师等多个关键职务，掌握九江天赐核心商业秘密。时任浙江研一公司董事长的岳敏为获取该商业秘密，承诺给予李胜高额顾问费及高管职位，诱使李胜伙同郑飞龙（已判刑）等人向浙江研一公司披露相关商业秘密。浙江研一公司为此向李胜支付人民币万元，向郑飞龙支付50万元。

根据法院判决，依照《中华人民共和国刑法》相关条款及《最高人民法院、最高人民检察院关于办理侵犯知识产权刑事案件适用法律若干问题的解释》相关规定，经审判委员会讨论决定：被告单位浙江研一新能源科技有限公司犯侵犯商业秘密罪，判处罚金人民币二千万元（所处罚金已缴纳）；被告人岳敏犯侵犯商业秘密罪，判处有期徒刑二年八个月，缓刑三年，并处罚金人民币二百万元（缓刑考验期限从判决确定之日起计算，所处罚金已缴纳）；被告人张春晖犯侵犯商业秘密罪，判处有期徒刑一年六个月，缓刑二年，并处罚金人民币五十万元，其违法所得人民币万元将用于赔偿九江天赐公司经济损失。

公告指出，若本次判决生效条件达成，九江天赐收到的赔偿金将记入公司“营业外收入”，影响公司当期损益。同时需注意的是，本次判决为一审判决，最终判决及后续执行的赔偿金数额尚存在不确定性，对公司本期利润和期后利润的影响亦存在一定不确定性。

3、2025年“CCF最高科学技术奖”评选结果公告

“CCF最高科学技术奖”授予在计算机科学、技术和工程领域取得重大突破，成就卓著、贡献巨大的资深中国计算机科技工作者。

CCF奖励委员会决定授予中国科学院计算技术研究所李国杰研究员、中国人民解放军国防科技大学吴泉源教授2025年“CCF最高科学技术奖”，以表彰他们为中国计算机事业的发展做出的卓越贡献。

特此公告。

中国计算机学会

2026年1月13日

附：

李国杰

中国科学院计算技术研究所研究员

CCF会士

获奖理由：

李国杰研究员是我国计算机科技领域具有战略思维的杰出科学家，在高性能计算机和通用处理器领域的研制和产业化方面做出引领性贡献，探索出一条适合中国国情的跨越式发展道路。他重视战略谋划，为中国计算机事业的创新发展和人才培养做出了重大贡献。

吴泉源

中国人民解放军国防科技大学教授

获奖理由：

吴泉源教授是我国逻辑级数字系统模拟技术的先导者，通过逻辑级模拟解释技术创建了系统软件模块的正确性调试与效能分析工具，用于保障计算机软硬件系统的高质量研制。他也是我国面向对象分布计算中间件技术的引领者，为中国计算机事业的创新发展做出了重大贡献。

4、打破20年技术僵局！西电团队攻克芯片散热世界难题

长期以来，半导体面临一个根本矛盾：我们知道下一代材料的性能会更好，却往往不知道如何将它制造出来。“就像我们都知道怎么控制火候，但真正把握好却很难。”周弘这样比喻。近日，郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了历史性跨越——他们通过将材料间的“岛状”连接转化为原子级平整的“薄膜”，使芯片的散热效率与综合性能获得了飞跃性提升。这不仅打破了近二十年的技术停滞，更在前沿科技领域展现出巨大潜力，相关成果已发表在国际顶级期刊《自然·通讯》与《科学·进展》。

该论文入选Science Advances封面论文之一

从“凹凸岛屿”到“平整大道”

一项改写范式的工艺革命

在半导体器件中，不同材料层间的界面质量直接决定了整体性能。特别是在以氮化镓为代表的第三代半导体和以氧化镓为代表的第四代半导体中，一个关键挑战在于如何将它们高效、可靠地集成在一起。传统方法使用氮化铝作为中间的“粘合层”，但“粘合层”在生长时，会自发形成无数不规则且凹凸不平的“岛屿”。“这就像在凹凸不平的堤坝上修建水渠”，周弘解释道。“‘岛状’结构表面崎岖，导致热量在界面传递时阻力极大，形成‘热堵点’。” 热量散不出去，就会在芯片内部累积，最终导致性能下降甚至器件烧毁。这个问题自2014年相关成核技术获得诺贝尔奖以来，一直未能彻底解决，成为制约射频芯片功率提升的最大瓶颈。

团队的突破，在于从根本上改变了氮化铝层的生长模式。他们创新性地开发出“离子注入诱导成核”技术，将原来随机、不均匀的生长过程，转变为精准、可控的均匀生长。“就像把随机播种变为按规划均匀播种，最终长出了整齐划一的庄稼。”周弘如此形容。这项工艺使氮化铝层从粗糙的“多晶岛状”结构，转变为原子排列高度规整的“单晶薄膜”。

这一转变带来了质的飞跃：平整的单晶薄膜大大减少了界面缺陷，热可快速通过缓冲/成核层导出。实验数据显示，新结构的界面热阻仅为传统“岛状”结构的三分之一。这项看似基础的材料工艺革新，恰恰解决了从第三代到第四代半导体都面临的共性散热难题，为后续的性能爆发奠定了最关键的基础。

性能跃升40%

从实验室数据到未来应用的广阔前景

工艺的突破直接转化为器件性能的惊人提升。基于这项创新的氮化铝薄膜技术，研究团队制备出的氮化镓微波功率器件，在X波段和Ka波段分别实现了42 W/mm和20 W/mm的输出功率密度。这一数据将国际同类器件的性能纪录提升了30%到40%，是近二十年来该领域最大的一次突破。

“这意味着，在芯片面积不变的情况下，装备探测距离可以显著增加；对于通信基站而言，则能实现更远的信号覆盖和更低的能耗。”周弘说道。

对于普通民众，这项技术的红利也将逐步显现。虽然当前民用手机等设备尚不需要如此高的功率密度，但基础技术的进步是普惠的。“未来，手机在偏远地区的信号接收能力可能更强，续航时间也可能更长。”更深远的影响在于，它为推动5G/6G通信、卫星互联网等未来产业的发展，储备了关键的核心器件能力。

未来蓝图

新的研究范式开辟半导体新路径

这项研究成果的深远影响，远不止于几项破纪录的数据。其核心价值在于，它成功地将氮化铝从一种特定的“粘合剂”，转变为一个可适配、可扩展的“通用集成平台”，为解决各类半导体材料高质量集成的世界性难题，提供了可复制的中国范式。

“我们的工作为解决‘如何让两种不同材料完美结合’这一根本问题，提供了一个标准答案。”周弘强调。

研究团队的目光已经投向更远处。氮化铝固然优秀，但还有像金刚石这样导热性能更强的终极材料。“如果未来能将中间层替换为金刚石，器件的功率处理能力有望再提升一个数量级，达到现在的十倍甚至更多。”当然，这需要另一个周期的长期攻关，或许又是一个“以十年计”的科研征程。这种对材料极限的持续探索，正是半导体技术不断向前发展的核心动力。

从1990年代末郝跃院士团队开始相关探索，到如今集大成的突破，这项成果凝聚了二十多年的持续钻研。它生动地证明，在芯片这样的硬科技领域，从理论到落地需要长期专注的基础研究作为支撑。这项研究的成功不仅标志着我国在半导体前沿领域实现了从跟跑到并跑、领跑的关键一跃，也为全球半导体技术的进步提供了新的中国方案。

当我们未来在山区自驾时，导航信号依然稳定；当手机在重要时刻不再因为发热而卡顿；当电动汽车的续航因为更高效的芯片而得到提升——这些看似微小的改变，背后都离不开像这样在材料层面实现的技术进步。随着这项共性技术的成熟与扩散，它将继续巩固我国在第三代半导体领域的优势，并加速第四代半导体的实用化进程，为保障国家信息技术产业安全、抢占未来科技制高点注入强劲的源动力。

5、中国科大光电子及功率电子器件四项进展入选IEDM 2025

近日，第71届IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM，国际电子器件大会)于2025年12月6日至10日在美国旧金山召开。IEEE IEDM是电子器件领域的国际知名会议，是报告半导体和电子器件技术、设计、制造、物理和建模等领域的关键技术突破的世界著名论坛，其与ISSCC、VLSI并称为集成电路和半导体领域的“奥林匹克盛会”。中国科学技术大学（后简称中国科大）微电子学院在光电子及功率电子器件领域的4项进展被大会接收。

1. 宽光谱高分辨图像传感器新进展

宽光谱成像技术在自动驾驶、环境监测、安全检查和医疗诊断等诸多领域具有关键意义。然而，要同时捕获目标的多维度信息，通常需要集成不同材料体系的探测器以实现多波段感知，这将显著提升系统构筑的复杂性和工艺制造成本。金属卤化物钙钛矿具有强吸收、长载流子扩散距离、良好的辐射稳定性、带隙可调等一系列优异特性，目前已经在X射线探测、弱光探测等领域展现出了巨大潜力。然而如何将钙钛矿光电子器件异质集成到传统半导体基底上，制备高性能的异质集成芯片依然极具挑战。近日，我校胡芹特任研究员团队成功开发出一种新型钙钛矿/硅基CMOS异质集成的高分辨图像传感器，成功实现了从近红外到X射线波段的超宽谱段（850 nm-40 keV）探测。

研发团队通过对单元器件结构、匹配CMOS读出电路、异质沉积工艺的协同设计优化，成功将钙钛矿光电探测器与硅基CMOS读出芯片集成，制备出从近红外到X射线的宽光谱图像传感器（图1a和1b）。该传感器阵列规模为640 × 512，像元间距为15 μm。得益于精细优化的器件设计和集成工艺，芯片成像清晰（图1c），光响应非均匀性仅为3.1%（图1d）。在白光、软 X 射线及硬 X 射线辐照下的成像结果表明，该芯片能够获得细节丰富、纹理清晰的高质量图像。此外，在软X射线辐照范围，该芯片在850 eV辐照下量子效率达到最高（图1e）；在硬 X 射线辐射下，其空间分辨率达到15.3 lp/mm。当集成芯片暴露于10 kV 的X射线脉冲时，双脉冲易化指数为1.43，显示出该图像传感器具备实现感内计算的智能传感潜力（图1f-h）。

相关成果以 “A Multispectral Image Sensor based on Perovskite/CMOS Integrated Chip with Response from Near-Infrared (850 nm) to X-Ray (40 keV)” 为题发表在IEDM 2025上。我校微电子学院胡芹特任研究员以及国家同步辐射实验室（合肥光源）刘啸嵩教授为论文的共同通讯作者，博士生谭鹏举、杨硕和硕士生刘天宇为论文的共同第一作者。北京理工大学唐鑫教授、合肥光源关勇高级工程师等参与了该工作的联合研究。该研究工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金等项目的资助。

图1 （a）面向诊断机器人的宽光谱图像传感器愿景以及图像传感器结构；（b）图像传感器芯片实拍图及像素的SEM俯视图；（c）白光下的成像结果；（d）532 nm光下像素响应分布；（e）不同软X射线下的量子效率；（f）硬X射线下的成像结果；（g）连续硬X射线脉冲下的Ip随时间变化曲线；（h）利用斜边法提取的该设备的调制传递函数（MTF）曲线。

2.氧化镓基感存算一体器件新进展

面向新一代智能光电探测系统的发展需求，发展传感、存储与计算一体化器件，被认为是突破传统冯·诺依曼架构瓶颈、降低系统延迟与功耗的重要途径之一。然而，现有光电器件难以同时兼顾信息传感、存储与计算能力，尤其是在成熟硅基平台上实现多功能一体化仍面临巨大挑战。针对上述问题，龙世兵教授团队基于极化诱导载流子分离机制，设计并研制了一种超宽禁带 Ga2O3/AlN/Si光电晶体管，在硅基平台上实现了集探测-存储-计算于一体的多功能器件（图2a）。

得益于 Al 极性 AlN 层在 Ga2O3/AlN 界面引入的强极化电场，器件中的 Ga2O3沟道层实现了完全耗尽，从而显著抑制暗电流并确保器件在深紫外光照下获得较高的响应度（图2b）。此外，该极化电场不仅可驱动光生载流子在无外加偏压条件下自动分离，还能促进空穴在 Ga2O3/AlN 界面处的非易失俘获，从而实现稳定的光电存储功能（图2c），器件表现出约10 V的存储窗口、优异的循环稳定性及保持特性。更进一步，Ga2O3体缺陷主导的持续光电导效应又赋予器件可调控的短时记忆特性，使其能够模拟神经突触的对脉冲增强等类脑行为，实现对感知信号的计算处理能力（图2d）。基于该器件构建的物理储备计算系统，在运动方向识别任务中实现了较高的识别准确率，展现出优异的时序信息处理能力（图2e）。该工作证明，在成熟的硅基平台上构建的极化效应辅助的Ga2O3/AlN/Si光电晶体管在先进感内存储和计算应用方面的巨大潜力，为新型智能光电探测芯片的单片集成提供了重要参考。

相关研究成果以 “UWBG Ga2O3/AlN DUV Phototransistors on Si Platform for In-sensor Memory and Computing based on Polarization-Induced Carrier Separation Strategy” 为题发表于IEDM 2025。我校微电子学院龙世兵教授、赵晓龙特任教授、侯小虎特任副研究员和国防科技大学王伟副研究员为论文通讯作者，博士生王艺霖、吴文韬和硕士生韩可举为论文的共同第一作者。该研究得到了国家重点研发计划的资助，也得到了中国科大微纳研究与制造中心在器件制备方面的支持。

图2 极化效应辅助的氧化镓光电晶体管及基本特性。（a）结构：氧化镓光电晶体管结构示意图；（b）传感：氧化镓光电晶体管作为探测器表现出极低的暗电流和较高的响应度；（c）存储：图为该晶体管作为光电存储器时的工作模式，其具备无偏压光写入特性；（d）计算：光脉冲序列触发对氧化镓晶体管的类神经突触权重调节，从而实现对信息的感知与计算；（e）应用：基于该晶体管构建的物理储备计算系统，实现了对目标物体运动方向的准确识别。

3.微型紫外光谱成像仪与光电逻辑器件新进展

紫外光谱分析与高光谱成像技术在药品分析、生物检测、环境监测以及有机与生物物质鉴别等领域具有重要应用价值。然而，传统光谱仪和高光谱成像系统通常依赖光栅、滤波片阵列等体积较大的光学元件，不仅系统结构复杂、尺寸庞大，而且难以实现片上集成与实时成像，限制了其在便携化和芯片级应用中的发展。近年来，基于计算重构的微型化光谱仪逐渐受到关注，但相关研究主要集中在可见光和近红外波段，面向紫外波段的微型化光谱与成像方案仍面临材料响应、器件结构及系统集成等多方面挑战。

面向紫外光谱分析、小型化光谱成像及片上集成应用需求，中国科大微电子学院孙海定教授iGaN实验室关于微型片上光谱成像与光电逻辑器件的工作顺利被大会接收并发表。研究团队提出了一种基于背对背光电二极管（Back-to-Back Photodiode, BtB-PD）的微型化片上紫外光谱成像与光电逻辑一体化方案。该器件采用 AlGaN 基 n-i-p 二极管与 GaN 基 p-i-n 结构二极管的背对背垂直集成设计（图 3a），该器件具有电压可调的光谱响应（图3b）以及双极性光电流输出特性。器件在紫外波段表现出优异的光电探测性能，在 355 nm 和 255 nm 波长下分别实现了 450 mA/W 和 -155 mA/W 的高响应度，响应时间为纳秒级（图3d）。依托器件电压可调的光谱响应特性，研究团队构建了微型片上紫外光谱仪，实现了 255-365 nm 波段范围内的光谱重构（图3c），峰值波长分辨率优于 2 nm。在前述工作的基础上，团队进一步改进器件结构，在外延结构中引入 Al 组分渐变层，从而细化了器件对相近波长紫外光谱的分辨能力，峰值波长重构误差达到 0.62 nm。结合高质量外延生长工艺，器件的响应速度得到进一步提升，实现了高光谱分辨率、快速响应的片上紫外光谱成像，该工作顺利被国际光学领域著名期刊自然光子学（Nature Photonics）期刊接收并发表（Nat. Photon. 19, 1322-1329 (2025)）。

团队进一步利用 BtB-PD 在不同波长、强度的紫外光调制下产生的双极性光电流特性，展示了多种光学可控逻辑功能。通过调控入射紫外光的波长与强度，在单个器件结构中实现了 “AND”、“OR”、“NAND”、“NOR” 和 “NOT” 等多种逻辑运算功能（图3e-f），为光电融合计算与片上智能感知系统提供了新的实现路径。该成果以 “A Back-to-Back Photodiode for Miniaturized Ultraviolet Hyperspectral Imager and Optical Logic Gates” 为题发表于 IEDM 2025。论文共同第一作者为我校微电子学院博士生高志祥和博士后余华斌，孙海定教授为论文通讯作者，该工作得到了国家自然科学基金和国家重点研发计划项目的支持，器件制备主要在中国科大微纳加工制造中心完成。

图3 （a）GaN/AlGaN基背对背光电二极管结构示意图；（b）电压可调的光谱响应特性；（c）光谱重构结果与商用光谱仪对比；（d）超快的响应速度；（e）在不同光照强度下的可重构光电逻辑门；（f）光电逻辑门读出真值示例。

4.氮化镓/金刚石功率集成电路最新研究进展

半桥功率电路是DC-DC、DC-AC等电能变换器的常用拓扑结构，在数据中心、新能源汽车、光伏逆变等领域发挥着不可或缺的作用。传统半桥功率电路通常采用n沟道晶体管（n-FET）串联构成，然而，因上管源极电位浮空，易在高频高压开关瞬态中出现串扰或栅源电压振荡问题。若采用p沟道晶体管（p-FET）作为上管、n-FET作为下管的互补型半桥功率电路，上管源极连接到固定的母线电压，可有效克服上述串扰/振荡问题，在高频高压开关瞬态中实现稳定的栅极驱动电压。宽禁带半导体GaN HEMT具有高浓度、高电子迁移率的二维电子气（2DEG）沟道，是构建互补型半桥功率电路的理想n-FET。然而，因其空穴迁移率较低，当前GaN基p-FET导通性能与高性能n-FET存在明显差距。另一方面，超宽禁带半导体金刚石具有高击穿场强和高热导率，氢终端金刚石表面亦可形成高浓度、较高空穴迁移率的二维空穴气（2DHG）沟道，与具有2DEG的GaN HEMT成为构建互补型功率集成电路的理想组合。

针对上述传统功率半桥电路在高频开关中的串扰/振荡问题，杨树教授研究团队创新性地开发出基于常关型金刚石p-FET与GaN n-FET的互补型功率集成电路。通过低功函数栅金属调控阈值电压，在氢终端金刚石p-FET中实现了常关型操作，同时维持较低导通电阻，其功率品质因数~10 MW/cm2，在已报道的常关型金刚石与GaN功率p-FET中较为先进。此外，通过高速脉冲测试验证了该金刚石p-FET具有良好的阈值稳定性。所研制的高性能金刚石p-FET与GaN n-FET具有良好的电流匹配能力。在此基础上，研究团队成功开发出金刚石/GaN互补型功率集成电路，并实验验证了互补型功率集成电路可在高压高频开关过程中有效抑制栅极驱动电压振荡与串扰，优于传统功率半桥电路，有望为下一代高频、高可靠功率转换系统提供解决方案。

相关研究成果以 “Demonstration of Complementary Power Circuit With Normally-Off Diamond P-FET and GaN N-FET” 为题发表于IEDM 2025上。我校微电子学院博士生储宸悦与杜佳宏为论文的共同第一作者，我校杨树教授与安徽大学唐曦教授为论文通讯作者，该研究工作得到了国家重点研发计划、国家科技重大专项等项目的资助。

图4 （a）传统双n-FET串联半桥功率电路示意图；（b）互补型半桥功率电路示意图、常关型金刚石p-FET与GaN n-FET器件结构示意图；（c）常关型金刚石及GaN p-FETs性能对标；（d）金刚石/GaN互补型功率集成电路；（e）高压高频开关过程中上管金刚石p-FET与下管GaN n-FET栅极驱动电压波形。