总投资 240 亿美元,美光新加坡 NAND 新晶圆厂设施动工
8 小时前 / 阅读约1分钟
来源:IT之家
Micron美光在新加坡启动NAND闪存新晶圆厂建设,总投资约240亿美元,预计2028年下半年投产,以满足AI产业快速发展带来的存储需求。
感谢IT之家网友 斯文当不了饭吃、三元不二 的线索投递!

IT之家 1 月 27 日消息,Micron 美光今日宣布启动位于新加坡的 NAND 闪存新晶圆厂建设工程。这座设施是新加坡首个双层晶圆厂,未来十年总投资约 240 亿美元(IT之家注:现汇率约合 1671.65 亿元人民币),预计 2028 年下半年投产。

▲  美光新加坡现有 NAND 闪存制造设施

新加坡本就是美光的主要 NAND 生产基地之一,此次新建的晶圆厂洁净室空间达到 70 万平方英尺(约 65032 平方米),将与早前动工的 HBM 先进封装工厂一道满足 AI 产业快速发展带来的存储需求。