三星电子：HBM5 与 HBM5E 将分别升级基础裸片与 DRAM 的制程

3 小时前 / 阅读约1分钟

来源：IT之家

三星电子将在HBM5和HBM5E世代分别升级基础裸片和DRAM裸片工艺，HBM5底层芯片采用2纳米工艺，HBM5E核心芯片采用1d DRAM工艺。

IT之家 3 月 18 日消息，三星电子存储器开发副总裁 황상준 当地时间本月 16 日在 GTC 2026 现场表示，三星将在 HBM5 和 HBM5E 世代分别升级 HBM 内存基础（逻辑）裸片和 DRAM 裸片的工艺，而 HBM4E 的制程则将与 HBM4 相同。

IT之家整理如下：

황상준 同时提到，三星电子将 HBM4 视为其整体 HBM 内存业务的重点，目标是占据超过一半的市场份额。三星电子还将加速 HBM 的开发，实现与英伟达同步的 1 年 1 迭代更新速度。

相关阅读：

英伟达 GTC 2026 大会专题

2 天前

被315点名的万亿隐秘生意：“污染”DeepSeek

1 天前

ASI决赛圈如今只剩三巨头，加速逃逸已启动，Meta与xAI命悬一线

2 天前

OpenAI成人内容推迟内幕：内部争论激烈、奥特曼未禁住“诱惑”

2 天前

特斯拉CEO马斯克：超大型晶圆厂将在七天后启动

1 天前

神图刷屏，全网SaaS大佬彻夜难眠，AI吞噬全球软件业，2027现死亡交叉

2 天前

DeepSeek V4迟迟不发，中国开源王者为何越来越慢？

2 天前

估值1200亿，Kimi融资破纪录了

2 天前

Agentic AI时代，“老大”OpenAI成了“老登”？

2 天前

海能达亮相MWC 2026：深化全球伙伴合作，推动关键通信迈向智能新时代

2 天前