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摩根士丹利证券（大摩）最新报告指出，投资旧世代存储器（Old Memory）必须转向严选（Turning Selective），其中DDR4涨势虽强但动能恐趋缓，而旧世代Flash定价能力逐步回升。因而，大摩按赞旺宏（2337）、爱普*，旺宏更列为“首选”，但对南亚科、华邦电“开枪”，皆下调至“中立”。
大摩科技产业分析师颜志天表示，当前存储器产业进入分化阶段，市场需重新区分旧世代产品与供应商。相较于DDR4，目前更看好传统Flash的后市表现。虽然DDR4过去一年价格大幅上涨，但随需求转弱，预期2026年下半年定价动能将逐步放缓；反观旧型Flash已逐步重掌定价权，MLC与传统TLC产品的平均售价（ASP）可望于2026年下半年加速上行。
颜志天回顾，随产业循环推进，考量旧世代存储器整体可服务市场（TAM）相对较小，预期本波超级周期持续时间约为九个月至1.5年，略短于主流存储器循环。
DDR4价格近期走势强劲，颜志天分析，8Gb合约价自2025年2月的1.35美元，到今年2月已升至11.5美元，年增达752%。短期来看，3月报价可望进一步上探17至18美元，但市场已出现部分中小型客户抗拒情绪。
由于涨幅过大，供应商目前似乎开始释出库存调节供需。若2026年第2季价格无法有效站稳18美元以上，预期南亚科将面临获利了结压力。
值得注意的是，传统Flash有望成为下一个DDR4。颜志天预期，MLC与传统TLC NAND在下半年将面临更显着的供给缺口，短缺幅度上看40%。目前全球2GB至64GB容量的NAND产能几近消失，终端客户库存普遍仅剩六至九个月，供需结构转趋紧绷。
在此情况下，旺宏估值有望上修，且被视为少数具备填补缺口能力的供应商，预估自2026年第1季至第4季，MLC与传统TLC产品价格涨幅有望超过200%。此外，爱普因2028年与联发科在IPD硅中介层（interposer）上的新机遇，后市可期。
