佰维存储推出工业宽温级 eMMC TGE408:自研主控、算法搭配本土 NAND
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来源:IT之家
佰维存储推出工业宽温级eMMC新品TGE408,基于本土NAND闪存颗粒,搭配自研主控芯片和固件算法,实现全流程本土化,支持HS400高速模式,提供pSLC和标准TLC双版本。

IT之家 4 月 23 日消息,佰维存储 (BIWIN) 昨日宣布推出工业宽温级 eMMC 嵌入式存储新品 TGE408。该型号基于本土 NAND 闪存颗粒,搭配佰维自研主控芯片和自研固件算法,实现了全流程本土化

TGE408 采用 FBGA 153 Ball 封装设计,遵循 eMMC 5.1 协议并支持 HS400 高速模式,可在 -40℃ ~ +85℃ 宽温域内稳定工作,顺序读取速率至高可达 330MB/s、顺序写入速率至高可达 220MB/s。

这款 eMMC 提供 pSLC 和标准 TLC 双版本。前者搭载佰维 Win-pSLC 固件技术,可选 8GB / 16GB 写入耐久达到 10 万次 P/E 循环;后者可选 64GB / 128GB,写入耐久达到 3000 次 P/E。