（图片来源：龙芯）

据ITHome报道，中国知名无晶圆芯片制造商之一龙芯中科，在2025年度及2026年第一季度财报电话会议上郑重宣布，公司备受瞩目的下一代3B6600处理器与9A1000图形芯片将于2027年正式进军零售市场。尽管3B6600和9A1000尚无法与顶尖游戏CPU或显卡相抗衡，但据称其性能已分别可与英特尔第12代Alder Lake处理器及AMD的Radeon RX 550显卡相媲美。

龙芯自2024年起便着手研发3A6000的继任者——3B6600。近日，龙芯董事长兼总经理胡伟武证实，3B6600已完成设计阶段，现已进入流片准备阶段。公司预计3B6600将于今年下半年交付，并计划在10月举行的第三季度财报会议上公布流片成果。

3B6600在核心架构、性能及能效方面均较前代3A6000系列有了显著提升。它依旧基于LoongArch指令集架构，但采用了龙芯最新的LA864执行核心，据称其IPC（每时钟周期指令数）较3A6000中的LA664执行核心提升了30%。

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3B6600最多可配备八核十六线程，基础时钟速度与加速时钟速度分别高达2.5 GHz和3 GHz。龙芯芯片将支持DDR5内存、PCIe 4.0及HDMI 2.1接口。根据制造商早期的单核SPEC CINT2006基准测试结果，3B6600的性能似乎可与英特尔的Alder Lake Core i5和Core i7芯片相提并论。

与此同时，9A1000作为一款入门级显卡，其性能据称可与老旧的Radeon RX 550相媲美。9A1000的研发始于2023年，最初计划于2025年推向市场。然而，该项目似乎遭遇了一系列挑战，龙芯于2025年9月对9A1000芯片进行了流片。在最近的财报电话会议上，胡伟武表示9A1000现已进入交付的最后阶段，公司计划在8月举行的上半年财报电话会议上分享流片成果。

9A1000仅是龙芯进军显卡市场其他细分领域的起点。胡伟武证实，高性能的9A2000和9A3000显卡已处于设计阶段。

根据财报电话会议报告，3B6600处理器与9A1000显卡均采用了专有制造工艺，因此设计、集成及流片周期较长。它们均采用了成熟的12nm工艺节点，这一数字之所以重要，是因为目前仍可使用DUV（深紫外）光刻工具生产12nm芯片。需注意的是，中国尚无法获得7nm及以下工艺节点所需的EUV（极紫外）工具。此外，12nm是一个极为成熟的节点，因此生产良率较高，足以满足中国大规模市场的需求。

除了处理器与显卡的研发外，龙芯还在积极探索新的雄心勃勃的项目。在最近的公告中，该公司暗示可能战略性地进军内存芯片市场，或许是为了顺应人工智能的发展潮流。为加速这一进程，龙芯似乎已与其他公司建立了合作伙伴关系，共同开发高带宽内存（HBM）芯片的逻辑硅晶圆。

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