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随着人工智能基础设施对高性能内存和存储架构的需求不断上升，闪迪正加大在韩国的工程师招聘力度，覆盖NAND系统架构、NAND核心设计、超大规模集成电路（VLSI）设计和掩模设计等岗位。招聘信息还将HBM（高带宽内存）、LPDDR和GDDR等技术经验列为重要资质。
据报道，相关职位既包括实习岗位，也包括要求至少拥有5年行业经验的资深岗位。这是闪迪韩国业务的一次明显转向。该公司在韩国的业务过去主要集中于销售和市场营销，工程研发招聘并不常见。
此次招聘正值闪迪从传统NAND业务进一步拓展至面向人工智能的存储产品和系统级内存架构之际。在2026年投资者日上，闪迪展示了覆盖NAND知识产权、前端制造、控制器与系统技术、后端制造以及市场销售的一体化能力。
闪迪的业绩也在快速改善。截至7月3日的财年第四季度，公司营收环比增长50.7%，达到89.7亿美元；2026财年营收达到202.5亿美元，较上年增长175%。
对工程人才需求影响更大的是闪存正在人工智能基础设施中扮演新的角色。闪迪更新后的内存层级显示，直连式固态硬盘、用于推理上下文存储的网络连接计算型SSD，以及网络连接存储型SSD，均位于系统DRAM和GPU HBM之下。这表明，闪存正越来越多地用于持久化键值（KV）缓存及其他人工智能推理任务。
闪迪推出的高带宽闪存（High Bandwidth Flash，HBF）进一步进入了闪存与高性能内存架构交汇的领域。闪迪称，HBF的读取带宽可达到与HBM相当的水平，同时容量最高可达HBM的8至16倍，主要面向采用大规模混合专家模型、超长上下文窗口和大容量KV缓存的推理场景。
工程师争夺也日益激烈。据报道，美光去年年底在韩国主要大学招聘涉及工艺、质量和设备等10多个岗位后，又通过领英接触三星电子、SK海力士及其他韩国半导体企业的员工。
三星和SK海力士也在扩大自身招聘。三星下半年招聘计划包括HBM及其他面向人工智能的高性能内存研发岗位，以及工艺和设备自动化职位。
