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中国存储加速追赶韩国！DRAM落后两年，NAND竟只差一年
5 小时前
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来源：集微网
韩国半导体产业协会指出中国本土NAND与DRAM大厂正快速缩小与西方技术差距，HBM差距3年、DRAM差2年，NAND Flash仅差1年。三星和SK海力士2025年生产300层NAND，中国厂商预期2027年转向400层。
韩国半导体产业协会（KSIA）近日量化中国在半导体技术上追赶西方的惊人速度，指出中国本土NAND巨头与DRAM大厂正快速缩小技术差距，竞争力也日益提升。
韩、中两国在存储芯片领域的技术差距已缩小，HBM差距3年、DRAM差2年，而NAND Flash仅差距1年。
令人惊讶的是，不久前这项差距还维持在约5年。三星和SK海力士于2025年开始生产300层NAND Flash，当时中国厂商正在生产270层NAND，预期到2027年将转向400层NAND，到时与三星等的差距将缩小至约1年。
DRAM部分，三星于2023年开始生产DDR5，但长鑫存储到2025年才开始生产DDR5模块，双方差距约2年。目前长鑫存储已大量生产LPDDR5X，近期也已开始生产LPDDR6。
