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三星搞定HBM4设计 领先海力士半身位
2025-01-06
在与竞争对手SK海力士的HBM技术竞争中，三星电子取得了重要进展。据供应链消息，三星DS部门存储业务部于今年1月初完成了HBM4内存逻辑芯片的设计，并随后由Foundry业务部采用4nm制程工艺进行试产。待逻辑芯片最终性能验证完成后，三星将提供HBM4样品以供验证。HBM4作为高带宽存储器的第六代产品，其性能有望大幅提升，特别是在高性能计算、人工智能和图形处理等领域发挥重要作用。
