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三星加快HBM4开发 计划2025年末量产
2025-01-06
三星已在平泽P4工厂建设1cnm工艺的DRAM生产线，并向Lam Research等合作伙伴订购设备，为HBM4量产做准备。1cnm工艺属于第六代10nm级别，电路线宽约11-12nm，计划今年商业化生产，用于制造HBM4的DRAM芯片。此举标志着三星在高性能计算和AI时代的竞争中迎来新技术浪潮。
