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珠海：重点发展8英寸、12英寸硅片等新一代化合物半导体衬底材料及外延片
2025-01-07
1月7日，珠海市工业和信息化局就《珠海市电子化学品产业发展三年行动方案（2025—2027年）（征求意见稿）》公开征求意见。方案提出，将重点发展8英寸、12英寸硅片及新一代化合物半导体衬底材料，如碳化硅、氮化镓、磷化铟等，并前瞻布局第四代半导体材料，如氧化镓、锑化镓、锑化铟。此外，还将重点发展多种光掩模版，并前瞻布局深紫外光掩膜版。
