清华大学物理系赵永刚研究组近期在磁控溅射技术基础上,利用[Ta/CoFeB/MgO]×15多层膜结构,成功探索出在受限结构中产生室温、零磁场下稳定的单个斯格明子包的方法。通过微加工技术,他们制备了不同尺寸的微米级受限圆盘阵列,发现合适尺寸的圆盘在经小角度饱和倾斜磁场磁化后,能形成“网状”畴结构,该结构可在面外磁场诱导下转变为斯格明子包结构,且撤去磁场后仍保持稳定。该成果为磁性多层膜结构中斯格明子包的研究提供了新方法。