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中科院基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展

2025-01-09

中科院微电子所刘新宇团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所合作，成功基于新型6英寸SiC复合衬底研发出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。该突破通过有效利用低质量SiC衬底，预计降低成本40%，同时保持高性能和可靠性。

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