KnowMade最新的知识产权报告显示,2023年全球碳化硅(SiC)专利活动显著增长,这一趋势受到市场竞争加剧和地缘政治紧张局势的影响。报告指出,中国公司在SiC领域的专利申请数量大幅增加,但这些申请主要集中在国内市场。与此同时,垂直整合的SiC公司正在采用不同的知识产权策略来增强竞争力,其中沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)成为竞争热点。专利分析进一步揭示了中国在SiC技术领域的快速崛起,尽管目前尚未在国际市场上挑战领导地位。