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一种用于MRAM设备、具有低能耗数据写入特性的新技术问世
2025-01-13
DRAM和NAND Flash作为当前主流存储器技术，各有其局限性。DRAM速度快但功耗大、容量有限、成本高，且断电后数据丢失，限制了其使用场景。NAND Flash则读写速度较慢，且存储密度受工艺制程制约。为克服这些传统存储器的局限，新型存储技术应运而生。这些新技术有望突破技术壁垒，为存储器市场带来革新。
