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中国科大在模拟型阻变存储器件研究中取得新进展

2025-01-14

中国科大石媛媛与何立新教授团队合作，通过在模拟型阻变随机存储器(RRAM)阻变层中加入单层MoS2，成功控制导电细丝形成，显著提升RRAM的均一性、线性和对称性。该成果发表在《Nano Letters》上，有望推动RRAM在神经形态计算和边缘计算领域的应用。

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