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北方华创“形成沟槽结构、去除沟槽内副产物方法及晶片承载装置”专利公布
2025-01-15
北京北方华创微电子装备有限公司申请的“形成沟槽结构、去除沟槽内副产物方法及晶片承载装置”专利于2024年8月26日公布，申请公布号为CN119132945A。该专利通过特殊设计的晶片承载装置，使晶片在工艺腔室处于倾斜状态，有效去除沟槽侧壁副产物，降低沟槽侧壁粗糙度，提升半导体制造精度。
