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上海交大陈铭易课题组在脑机接口模数转换器芯片领域取得重要进展
2025-01-19
上海交通大学电子信息与电气工程学院微米纳米加工技术全国重点实验室的陈铭易副教授课题组，在脑机接口的高动态范围模数转换器芯片领域取得了显著进展。近日，该团队在IEEE Journal of Solid-State Circuits（JSSC）期刊上发表了一篇题为“A 26-GΩ Input-Impedance 112-dB Dynamic-Range Two-Step Direct-Conversion Front-End With Improved Δ-Modulation for Wearable Biopotential Acquisition”的研究论文。该论文首次报道了用于脑机接口的动态范围超过110dB的直接转换模拟前端芯片。该芯片采用180nm标准CMOS工艺制造，具有26GΩ的输入阻抗和112dB的高动态范围，相比现有技术提升了20dB。此外，该芯片能够承受高达±1.8V的伪影和直流失调，伪影承受幅度比相同增益的传统模拟前端提升了30倍，且功耗仅为63μW。这一创新技术不仅解决了非侵入式脑机接口的关键挑战，还可应用于侵入式脑机接口，提升了系统对刺激伪影的承受能力。
