强关联体系因低场磁阻效应(<1 T)备受瞩目,为低功率和超快磁性器件开发带来巨大前景。但实现该效应需极低温度(<70 K),温度升高会导致边界自旋无序散射或极化隧穿减少,阻碍室温低场磁阻器件应用。因此,解决高温下保持低场磁阻效应成为研究关键。