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DRAM制程开发进度出现延迟 三星10纳米1C DRAM恐难以按期量产
2025-01-21
韩国三星电子第六代10纳米级1c DRAM制程开发遭遇延迟，预计完成时间由2024年底推迟到2025年6月，导致原计划2025年下半年量产的高频宽存储器（HBM4）面临不确定性。三星期望在未来六个月内将良率提升至70%，但1c DRAM的进展仍不明朗。此次延迟不仅推迟了DDR5内存的量产时间，也影响了HBM的开发进度。若1c DRAM的量产推迟至2025年底，HBM的量产时间或将延至2025年之后，这将削弱三星在HBM市场的竞争力。为尽快实现量产目标，三星正在调整1c DRAM制程技术的部分设计，但能否在预定时间内完成量产仍存在不确定性。
