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三星10纳米级1c内存制程推迟半年：HBM4前景添变数

2025-01-21

三星电子的第六代10纳米级1c DRAM制程开发进度延迟，预计完成时间推迟至2025年6月，较原计划的2024年年底有所延后。因此，原定于2025年下半年量产的第六代高频宽存储器（HBM4）也面临不确定性。

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