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传英伟达批准三星8层HBM3E存储芯片
2025-01-31
三星电子已获英伟达批准，成为其第五代高带宽存储芯片8层HBM3E的供应商。该批准于2024年12月达成，标志着三星在追赶同行SK海力士方面取得进展。SK海力士此前一直是英伟达供应最先进HBM以搭配其AI芯片的首选合作伙伴。8层HBM3E存储芯片具备高带宽、低功耗和紧凑设计等特点，将助力英伟达AI技术的进一步提升。
