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消息称三星芯片部门负责人携 1b DRAM 样品访问英伟达，全力争取 HBM3E 订单
2025-02-18
三星芯片部门负责人近日访问英伟达总部，展示了改进后的1b DRAM芯片样品，该样品专为高带宽内存（HBM）设计。此前，三星曾计划跳过1b DRAM，原因是良品率和过热问题。但在英伟达的要求下，三星重新调整计划。目前，三星的竞争对手SK海力士和美光已向英伟达供应采用1b DRAM生产的HBM3E。三星表示，计划在今年第二季度量产并供货改进版的HBM3E。
