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三星将引入长江存储技术以解专利技术困局
2025-02-24
三星近日与长江存储签署3D NAND混合键合专利许可协议，将从第10代V-NAND（V10）开始使用长江存储的专利技术，特别是“混合键合”技术。三星计划在2025年下半年量产V10 NAND，预计堆叠层数达420至430层，将采用W2W混合键合技术提高性能与散热能力，优化生产效率。长江存储是四年前首家应用混合键合技术的3D NAND企业，拥有强大专利积累。
