搜索
历史首次 三星将使用长江存储专利技术
2025-02-25
据韩国媒体2月24日报道，三星电子已与中国存储芯片厂商长江存储签署3D NAND混合键合技术专利许可协议。从第十代V-NAND（V10）产品开始，三星将采用长江存储的专利技术，特别是针对堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”技术。三星计划于2025年下半年量产V10 NAND，预计堆叠层数达420至430层。为解决高层数带来的底层外围电路压力问题，三星决定引入W2W混合键合技术，该技术由长江存储于2018年率先应用于3D NAND制造，并命名为“晶栈(Xtacking)”。长江存储在混合键合技术方面的领先地位促使三星通过专利授权方式合作，以降低未来潜在的法律和市场风险，并加速技术开发进程。
