搜索
三星目标到2030年实现1000层NAND 已开始400层晶圆键合
2025-02-26
三星计划到2030年利用新型“多BV”NAND设计制造出1000层NAND。据The Bell报道，该计划涉及通过堆叠四个晶圆来克服结构限制，其中晶圆键合技术发挥着至关重要的作用，三星计划利用此技术突破1000层堆叠大关。
