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SK海力士HBM4测试良率跃升至70%，量产进程加速引发期待
2025-02-27
SK海力士第六代12层堆叠高带宽内存HBM4测试良率已达70%，即将量产。这一成果归功于其第五代10nm级DRAM技术的成功，该技术已在HBM3e产品中实现80%良率。SK海力士计划向客户提供HBM4样品进行测试，并有望迅速启动量产。据悉，HBM4产品或将用于英伟达下一代AI加速器“Grace Hopper”系列，这将进一步巩固SK海力士在高性能内存市场的地位。
