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NEO半导体将模仿闪存制造512GB内存 采用3D X-DRAM结构进行堆叠
6 天前
半导体公司NEO Semiconductor宣布，采用3D X-DRAM技术重新设计人工智能和高性能计算时代的内存。3D X-DRAM技术模仿3D NAND闪存，通过垂直多层堆叠芯片，实现密度和性能的大幅提升。该技术旨在解决DRAM的容量瓶颈，成为满足AI和高性能计算对高性能、大容量存储器半导体需求增长的关键解决方案。
