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大连理工大学团队：通过提高晶体质量增强 β-Ga₂O₃ 薄膜的光电突触可塑性
2025-05-27
大连理工大学集成电路学院的梁红伟教授和常玉春教授的研究团队，在学术期刊《Journal of Alloys and Compounds》上发表了一篇题为《Enhancing the photoelectric synaptic plasticity of β-Ga2O3 films via improving crystalline quality》的文章。该研究通过提升β-Ga2O3薄膜的晶体质量，显著增强了其光电突触可塑性。研究团队发现，高质量β-Ga2O3薄膜的突触可塑性源于其固有的间接带隙特性，而非传统认为的氧空位等缺陷。这一发现为β-Ga2O3基日盲紫外波段光电仿生突触器件的设计与开发提供了重要参考。该研究成果有望应用于智能传感器、神经假体及仿生视觉等领域，展现出广阔的应用前景。
