搜索
中国科学院微电子所在亚纳秒级超快MRAM领域取得重要科研进展
2025-05-28
中国科学院集成电路制造技术全国重点实验室三维存储器件与工艺科研团队，针对MRAM写入机制上的物理机理限制，发现了一种类场自旋矩导致的无磁矩进动、无外加磁场的超快电写入方式。这种方式有望从根本上解决MRAM在速度和高密度集成方面面临的基础性物理难题。
