在全球能源转型之际,钙钛矿太阳能电池凭借26.7%的认证效率,被视为最具潜力的新一代光伏技术。然而,模组器件效率低、寿命短成为其产业化进程的瓶颈。在n-i-p结构的太阳能电池中,常用的电子传输层材料SnO2存在多种缺陷,如氧空位、悬挂羟基和未配位的Sn4+,这些缺陷不仅影响载流子传输,还会诱导钙钛矿薄膜缺陷,进而影响薄膜结晶形态和器件耐老化性能。在大面积制备时,SnO2/钙钛矿界面的缺陷问题更为突出。因此,如何优化这一关键界面,成为近年来大面积模组器件制备的急需解决的问题。