搜索
复旦大学在新型半导体表界面结构与缺陷研究方面取得系列进展
1 天前
半导体器件正向更小尺寸、更高性能发展，表界面原子级结构对器件性能的影响日益凸显。表界面缺陷会降低载流子迁移率、增加电阻，甚至导致器件老化和失效，严重影响器件的稳定性和寿命。在LED、光伏、探测传感等领域，界面缺陷直接影响量子效率、传感器灵敏度等关键指标，成为技术突破的主要瓶颈。此外，新型半导体材料的界面特性与传统材料差异大，需深入研究以开发新型器件。在集成电路制造中，控制表界面缺陷是实现更精细工艺节点的核心挑战。
