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半导体所朱礼军团队与合作者在磁性异质结反常磁阻的物理起源方面取得重要研究进展
1 天前
2013年，科学家在磁性异质结中观测到反常磁阻（UMR）效应，即当磁性材料的磁矩在垂直电流平面内旋转时，其异质结的电阻会发生变化。这一发现是自旋电子学领域的重要突破，对理解和应用多种自旋电子学效应具有深远影响。反常磁阻效应的微观机制最初被认为与自旋霍尔磁电阻（SMR）有关，即重金属中产生的自旋流在受到磁矩取向相关的界面反射后，重新进入重金属并通过逆自旋霍尔效应产生纵向电导，从而改变电阻。这一模型为理解反常磁阻效应提供了理论基础。
