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中国科学院在亚纳秒级超快MRAM领域取得重要科研进展
3 天前
中国科学院集成电路制造技术全国重点实验室科研团队发现了一种新型超快电写入方式，该方式利用类场自旋矩实现无磁矩进动和无外加磁场的写入，有望解决MRAM在速度和高密度集成方面的物理限制。实测显示，该方式能在0.2纳秒内实现数据写入，性能优于SRAM。此成果未来或应用于对读写速度要求苛刻的人工智能和高性能计算领域。
