江苏鲁汶仪器股份有限公司公布了一项专利,名为“一种位于开口侧壁表面的膜层的刻蚀方法”,申请公布号为CN119626902A,公布日期为2025年3月14日。该方法应用于半导体器件,通过精确控制离子束的入射角度,实现刻蚀位置的准确控制,提高刻蚀精度。