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三星突破10纳米级DRAM制程，力攻HBM4市场
2 天前
三星电子10纳米级第六代DRAM制程良率突破，计划下半年量产HBM4。通过改进设计流程和采用先进制程，良率从不足30%增至50%-70%，近期更突破60%。此举旨在提升AI和高性能计算市场竞争力，缩小与SK海力士和美光的差距，重塑高端存储器市场格局。
