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三星电子将从16层HBM开始逐步引入混合键合技术

2025-07-23

三星电子计划自第16层HBM起采用混合键合技术，旨在克服层数增加带来的技术难题。该技术能显著降低HBM厚度并增强散热性能。第七代HBM4E将试验该技术，而第八代HBM5则将大规模应用。此外，罗姆半导体开发出超小型CMOS运算放大器，推动半导体行业向高性能、小型化迈进。

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