传英伟达自研HBM Base Die锁定3nm,预计2027年下半年小量试产
1 周前

英伟达计划自研3nm HBM Base Die,旨在提升数据传输效率并强化NVLink生态。此举意在挑战ASIC市场,但CSP大厂的接受度有限。随着英伟达自制Base Die与SK海力士加速HBM4量产,HBM市场将迎来新一轮竞争与变革。