三安集成新一代砷化镓射频工艺加速高频应用商业化 - 芯片

Just Quick Just Quality

热门话题

白天

搜索

资讯

三安集成新一代砷化镓射频工艺加速高频应用商业化

3 周前

三安集成针对客户需求，推出0.4μm Ledge GaAs HBT工艺H10HP56，该工艺可实现更高工作频率，满足器件在C波段范围内的高功率应用需求，并重点在智能手机、Wi-Fi 7、卫星通信等领域提供出色的放大效率和稳定性。

上一篇：新思科技与台积公司合作实现2D和3D设计解决方案

下一篇：时代变了？英伟达或取代苹果成为台积电最大客户

返回列表

热文阅读

2 天前

这类存储，AI端侧悄然走红

2 天前

“AI让硅谷10万人失业”背后的真相

2 天前

OpenAI向美国政府发出“求救信号”意味着什么？

2 天前

ChatGPT教唆致多名用户自杀：已出现七宗诉讼！OpenAI：无比痛心

2 天前

我，AI创始人，去深圳了

2 天前

马斯克为何想让特斯拉自建芯片工厂？郭明錤透露原因

2 天前

台积电10月份营收119亿美元增幅16.9%低于预期

2 天前

改掉幻觉=杀死AI？Science曝光大模型「先天死穴」

2 天前

好好的机器人，为啥要加个乳房？

2 天前

硅片，冷热不均

上一篇：新思科技与台积公司合作实现2D和3D设计解决方案

下一篇：时代变了？英伟达或取代苹果成为台积电最大客户

Just Quick Just Quality

发现

资讯话题

热门话题

7 x 24跟踪全球科技动态

快讯

资讯

视频

关于我们