天眼查信息显示,臻驱科技(上海)股份有限公司取得一项名为“一种带镂空结构的双面散热的功率半导体模块”的专利,授权公告号CN115547954B,授权公告日为2025年10月17日,申请日期为2022年10月20日。该功率半导体模块包括上衬底和下衬底,下衬底上设有直流正极端子,上衬底上设有直流负极端子,两者叠合设置。下衬底上还设有若干个上桥臂芯片和下桥臂芯片,两者之间设有第一垫块。上衬底包含上表面金属层、绝缘介质层和下表面金属层,且在与下桥臂芯片对应的位置设有仅包含下表面金属层的镂空区域,该区域贯穿上衬底一端的边缘。这样的设计使得换流回路电流能够从直流正极端子进入,流经上、下桥臂芯片,并通过镂空区域流出,从而减小换流回路的杂散电感。
