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Intel公布三大全新晶体管材料 漏电率降低1000倍
5 天前
缩小晶体管、推进先进制程工艺是当前半导体行业的共同目标，关键在于寻找更理想的晶体管材料。在2025年IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，Intel及其代工部门团队展示了三种前景广阔的MIM堆叠材料，分别为铁电铪锆氧化物(HZO)、氧化钛(TiO)和钛酸锶(STO)。
