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电子科技大学在宽禁带半导体GaN功率器件及其高效电力电子应用研究领域取得研究进展
2 小时前
氮化镓（GaN）材料具有禁带宽度大、临界击穿电场高、易形成高迁移率二维电子气等特性，是实现高耐压、低损耗功率器件的理想半导体，在电力电子变换领域前景广阔。近两年，集成电路学院功率集成技术实验室罗小蓉教授研究小组在GaN功率器件的抗辐照、可靠性及电源模块研究方面取得多项新进展，并在国际权威期刊发表多篇论文。
