据外媒报道,SK海力士在内部会议上通报最新内存供需展望,称面向大众市场的通用DRAM未来数年将持续供应紧张,或延续至2028年。公司正加速扩充10纳米级第六代1c DRAM产能,但新建工厂要到2027或2028年才能有产出。三星电子也表示不会快速扩大产能,而是聚焦长期盈利能力。美光虽宣布在日本投资建新DRAM工厂,但最快也要2028年下半年量产。瑞银预计,全球DRAM市场供应短缺将持续到2027年一季度,NAND Flash短缺态势预计持续至2026年第三季。