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突破供电瓶颈 英特尔代工实现功率传输的跨代际飞跃
14 小时前
在2025年IEEE国际电子器件大会（IEDM 2025）上，英特尔代工展示了面向AI时代系统级芯片的关键技术——下一代嵌入式去耦电容器。该技术采用三种新型金属-绝缘体-金属（MIM）材料（铁电铪锆氧化物、氧化钛、钛酸锶），通过深沟槽结构实现电容密度跃升至60-98 fF/μm²，漏电水平较行业目标降低1000倍。这一突破有效解决了晶体管微缩至2nm世代后的供电瓶颈，为AI加速器、CPU、GPU等芯片提供更稳定的电源支持，标志着先进制程竞争从晶体管结构转向供电堆栈系统优化。
